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本文摘要:欧司朗光电半导体在实验室中研发出有一款长升空区域激光二极管,纵向亮度高约4.8W/(mm*mrad)。

欧司朗光电半导体在实验室中研发出有一款长升空区域激光二极管,纵向亮度高约4.8W/(mm*mrad)。激光器的亮度越高,能更加高效地将光线射入光纤,从而提高材料加工时光纤激光泵浦模块的输出功率。

  据报,这是高亮度二极管激光器构建微光学和微热元件(IMOTHEB)项目的成果之一。该项目由德国联邦教育和研究部资助,目前已顺利完成。

  亮度可取决于光输出功率与光束质量的人组情况。暗淡的激光源需要产生较宽光束,收敛度大于,功率密度低。这一属性对光纤耦合激光器系统的效率至关重要。激光器的亮度越高,能射入光纤的光线之后越少。

  改良版芯片设计  激光器纵向亮度的实验室数值高达4.8W每毫米和毫弧度(W/(mm*mrad))是长升空区域激光二极管未知的最高值之一。芯片设计的优化为这项顺利,尤其是通过在芯片上构建微光学和微热元件构建光束塑形,奠下了基础。  这些改进皆问世于欧司朗协商的IMOTHEB科研项目。该项目的目标之一目的更进一步研发激光芯片,让其在光束质量平稳的同时构建更高的光输出功率。

MaxBorn研究所作为项目合作伙伴之一,通过获取普遍的方法和分析,对芯片研发工作给与了极大反对。这些研究成果将大大带入产品研发中。  泵浦模块输出功率提高10%  光纤耦合激光器的最重要用途之一是利用高功率激光器的泵浦(射入光能)展开材料加工。

尤其是光纤激光器,在汽车行业中金属片切割成和焊等应用于中的重要性日益强化。  与此同时,成本压力也在不定上升。因此,IMOTHEB项目目的减少这类泵浦模块的系统成本。

项目合作伙伴DILAS半导体激光有限公司研究出有二极管激光器自动化装配的概念。  另一个关键要素则是暴光源的亮度。DILAS通过一个展示模块证明了欧司朗改良版芯片需要将模块的输出功率提高10%。

欧司朗光电半导体总部项目协调员AlexanderBachmann博士说明道:由于芯片亮度高了,更加多光线摄取光纤。与这一应用于目前所用的激光二极管相比较,这个展示模块需要产生更高的输出功率。

  IMOTHEB科研项目目的提升激光系统效率,减少其生产成本。


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